讲座题目：超高密度3D NAND闪存研究与探索
主 讲 人：陈杰智 教授（山东大学）
讲座时间：2024年6月3日（周一）9:30时
讲座地点：钱伟长楼202报告厅
欢迎有兴趣的师生前来聆听！
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2024年05月28日
讲座内容简介：
在大数据和云存储等应用需求急剧增长的后摩尔时代，大容量高密度存储芯片实现了从二维平面到三维垂直架构的跨越式转变，3D NAND闪存也成为了大容量非易失存储器市场的主流存储介质。相对于传统二维平面结构，三维架构下的特殊器件工艺和阵列集成技术使其可靠性特性和优化策略变得更加复杂。为进一步提高大容量三维存储系统可靠性，我们需要基于介质底层可靠性特性对系统层面进行针对性协同设计和优化。本报告将介绍三维闪存存储器及其他新型非易失存储器的最新进展，阐述基于介质底层特性的可靠性协同优化策略，并展望未来三维高密度存储器微缩化所需要的关键核心技术。
主讲人简介：
陈杰智，山东大学信息科学与工程学院院长，教授/博士生导师。研究方向聚焦于高密度三维非易失存储芯片及纳米器件微缩化关键技术研究，近年来主持了国家自然科学基金委重点项目、重大研究计划项目、科技部重点研发项目课题等多项国家级研究项目课题，二十次在微电子集成电路国际顶级会议IEDM/VLSI Symposium上报告研究进展。现为IEEE高级会员，担任IEDM、IMW等多个国际重要学术会议技术委员。
